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上海雷卯电子科技有限公司 > 技术资料 > 氮化镓GaN静电浪涌防护方案

氮化镓GaN静电浪涌防护方案

发布时间： 2022/12/21 14:12:59 | 121 次阅读

前因：氮化镓不具有瞬态浪涌吸收能力，电路开关瞬态和雷击浪涌时，过流过压不能超过氮化镓的额定能力。

方案优点：处于反激式电源变压器初级的TVS能充分吸收FET开关瞬态产生的过冲能量，反应快、低残压、可控.

本方案采用： PTVS160AF单颗器件防护,功率大，体积小，节约空间.

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